| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 350mW (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 8 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.1A |
| 上升时间 | 35 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 740pF @4V(Vds) |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Micro Commercial Components（美微科）
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Micro Commercial Components（美微科）
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VISHAY（威世）
P沟道8 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V
VISHAY（威世）
P沟道8 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
VISHAY（威世）
P沟道8 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
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