| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 52.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 漏源极电压(Vds) | -8.00 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.50 A |
| 上升时间 | 25.0 ns |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage|
●\---|---
●最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage|
●最大漏极电流IdDrain Current|
●源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance|
●开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage|
●耗散功率PdPower Dissipation|
●Description & Applications|
●描述与应用|
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
P沟道8 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V
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Micro Commercial Components（美微科）
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
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P沟道8 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
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