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SI2306DS-T1-E3 数据手册 - VISHAY(威世)
制造商:
VISHAY(威世)
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI2306DS-T1-E3 数据手册
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SI2306DS-T1-E3 数据手册 (8 页)
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SI2306DS-T1-E3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
57.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.25 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.50 A
SI2306DS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
SI2306DS-T1-E3 符合标准
SI2306DS-T1-E3 数据手册
SI2306DS-T1-E3
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