Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > SI3443DDV-T1-GE3 Datasheet 文档
SI3443DDV-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI3443DDV-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP-6
PDF文件:SI3443DDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI3443DDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI3443DDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数6 Pin
封装TSOP-6
极性P-CH
功耗1.7 W
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)4A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)970pF @10V(Vds)
下降时间18 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
查看数据手册 >

SI3443DDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

SI3443DDV-T1-GE3 数据手册

SI3443DDV-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
11 页 / 0.23 MByte
SI3443DDV-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
11 页 / 0.2 MByte

SI3443DDVT1 数据手册

SI3443DDV-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
SI3443DDV-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI3443DDV-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
Si3443DDV 系列 20 V 0.047 Ohm 表面贴装 P 沟道 MOSFET - TSOP-6
SI3443DDV-T1-GE3 数据手册
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet