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SI3456BDV-T1-GE3
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SI3456BDV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
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焊盘图
引脚图
产品图
SI3456BDV-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI3456BDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TSOT-23-6
功耗1.1W (Ta)
漏源极电压(Vds)30 V
耗散功率(Max)1.1W (Ta)

SI3456BDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI3456BDV-T1-GE3 数据手册

SI3456BDV-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Siliconix
10 页 / 0.18 MByte

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