类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOIC-8 |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
输入电容值(Ciss) | 640pF @20V(Vds) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 6.8A,5.8A 3W,3.1W 表面贴装型 8-SO
Vishay Siliconix
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VISHAY(威世)
N和P通道40 - V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4599DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.8 A, 40 V, 29.5 mohm, 10 V, 1.4 V
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