Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > SI4965DY-T1 Datasheet 文档
SI4965DY-T1
来自 AiPCBA

SI4965DY-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SO
描述:双P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PDF文件:SI4965DY-T1 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI4965DY-T1 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI4965DY-T1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SO
漏源极电阻21.0 mΩ
极性P-Channel
功耗2.00 W
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)-8.00 A to 8.00 A
查看数据手册 >

SI4965DY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
查看数据手册 >

SI4965DY-T1 数据手册

SI4965DY-T1 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.18 MByte
SI4965DY-T1 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.17 MByte

SI4965 数据手册

SI4965DY-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI4965DY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
SI4965DY 数据手册
Vishay Siliconix
SI4965DY-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI4965DY-T1 数据手册
Vishay Siliconix
SI4965DY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
SI4965DY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI4965DY-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI4965DY-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI4965DY-T1 数据手册
VISHAY（威世）
双P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet