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SI4965DY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4965DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
PDF文件:SI4965DY-T1-E3 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
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SI4965DY-T1-E3 数据手册 (8 页)
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SI4965DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻21.0 mΩ
极性P-Channel
功耗2.00 W
漏源极电压(Vds)8 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)-8.00 A to 8.00 A
上升时间45 ns
额定功率(Max)2 W
下降时间90 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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SI4965DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI4965DY-T1-E3 数据手册

SI4965DY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.17 MByte
SI4965DY-T1-E3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.17 MByte

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