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SI4965DY-T1-E3
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SI4965DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:P沟道MOS管
封装:SO
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焊盘图
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SI4965DY-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI4965DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SO
漏源极电阻21.0 mΩ
极性P-Channel
功耗2.00 W
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)-8.00 A to 8.00 A

SI4965DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)

SI4965DY-T1-E3 数据手册

SI4965DY-T1-E3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
5 页 / 0.09 MByte

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