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SM8S33AHE3/2E
来自 AiPCBA

SM8S33AHE3/2E 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:TVS二极管
封装:DO-218AB-2
描述:ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0W 33V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified
PDF文件:SM8S33AHE3/2E 数据手册 (5 页)封装尺寸在4 页
典型应用电路图在1 页
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焊盘图
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SM8S33AHE3/2E 数据手册 (5 页)
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SM8S33AHE3/2E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数2 Pin
工作电压33 V
封装DO-218AB-2
击穿电压36.7 V
钳位电压53.3 V
脉冲峰值功率6600 W
最小反向击穿电压36.7 V
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SM8S33AHE3/2E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃
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SM8S33AHE3/2E 数据手册

SM8S33AHE3/2E 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
5 页 / 0.08 MByte
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