类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 200 mA |
封装 | SOT-23 |
输入电容 | 80.0 pF |
栅电荷 | 1.50 nC |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 200 mA |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 2.5Ω/Ohm @100mA,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.8V 耗散功率Pd Power Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| SIPMOS ® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = 0.8...2.0V 描述与应用| SIPMOS®小信号晶体管 •N通道 •增强模式 •逻辑电平 •VGS(TH)=0.8
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