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SPI20N60C3
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SPI20N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-262-3
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS™ Power Transistor
PDF文件:SPI20N60C3 数据手册 (15 页)
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SPI20N60C3 数据手册 (15 页)
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SPI20N60C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)650 V
额定电流20.7 A
封装TO-262-3
通道数1 Channel
漏源极电阻220 mΩ
极性N-CH
功耗208 W
输入电容2.40 nF
栅电荷114 nC
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压650 V
连续漏极电流(Ids)20.7 A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)208 W
下降时间6.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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SPI20N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度10.2 mm
宽度4.5 mm
高度9.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SPI20N60C3 数据手册

SPI20N60C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.78 MByte

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