| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.85 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 50 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.50 A |
| 上升时间 | 2.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 490pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 50 W |
| 下降时间 | 9.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 2.38 mm |
| 高度 | 6.22 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
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INFINEON SPS04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
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