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SPD11N10
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SPD11N10 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
PDF文件:SPD11N10 数据手册 (8 页)
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焊盘图
引脚图
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SPD11N10 数据手册 (8 页)
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SPD11N10 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流10.5 A
封装TO-252-3
极性N-CH
功耗50 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)10.5 A
上升时间46 ns
输入电容值(Ciss)400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)50 W
下降时间23 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50W (Tc)
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SPD11N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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SPD11N10 数据手册

SPD11N10 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.48 MByte
SPD11N10 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.03 MByte

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