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SPN01N60C3
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SPN01N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-223-4
描述:新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
PDF文件:SPN01N60C3 数据手册 (9 页)
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SPN01N60C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)650 V
额定电流300 mA
封装SOT-223-4
极性N-Channel
功耗1.8 W
输入电容100 pF
栅电荷5.00 nC
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)300 mA
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)100pF @25V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.8W (Ta)
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SPN01N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SPN01N60C3 数据手册

SPN01N60C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 7.09 MByte
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