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IPW50R199CP
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IPW50R199CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:INFINEON  IPW50R199CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
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IPW50R199CP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.18 Ω
极性N-Channel
功耗139 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)550 V
连续漏极电流(Ids)17.0 A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)1800pF @100V(Vds)
额定功率(Max)139 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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IPW50R199CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPW50R199CP 数据手册

IPW50R199CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
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IPW50R199 数据手册

IPW50R199CPFKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
IPW50R199CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW50R199CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
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