类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 20.0 A |
封装 | TO-247-3 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 20A |
输入电容值(Ciss) | 3000pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 208 W |
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INFINEON SPW20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPW20N60S5. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
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INFINEON SPW20N60C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPW20N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON SPW20N60CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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