类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-363 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.1A |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 4Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.8~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
●High Speed Switching Applications
●Analog Switching Applications
● Small package
● Low ON resistance : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型
●高速开关应用
●模拟开关应用
●小型封装
●低导通电阻RON =4.0Ω(最大)(@ VGS=4 V) RON =7.0Ω(最大值)(@ VGS= 2.5 V)
Toshiba(东芝)
5 页 / 0.25 MByte
Toshiba(东芝)
5 页 / 0.15 MByte
Toshiba(东芝)
SSM6N15FE 复合场效应管 30V 100mA/0.1A SOT-563/ES6 marking/标记 DP 高速开关
Toshiba(东芝)
SSM6N15FU 复合场效应管 30V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DP 高速开关
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件