| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | D2PAK |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11A |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB11NK50ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB11NK40ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 490 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.40ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK FDmesh功率MOSFET，快速二极管？ N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB11N52K3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 525 V, 0.41 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 0.37 Ω ， 10 A的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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