| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | D2PAK |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12A |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB120N4LF6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB12NM50T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V ， 0.29欧姆， 11A ， FDmesh II功率MOSFET （具有快速二极管）的D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB12NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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ST Microelectronics（意法半导体）
N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
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