| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 36.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 32 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 100 W |
| 输入电容 | 2.80 nF |
| 栅电荷 | 70.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 36.0 A |
| 上升时间 | 85 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP36NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP36NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP36NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
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N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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