| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 700 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP9NK90Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 8A, TO-220
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP9NK70ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP9NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP9NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 950 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP9NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0056ohm - 90A TO- 220 / I2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650 V - 1 - 6.4 A TO - 220 / TO- 220FP N-channel 650 V - 1 - 6.4 A TO-220 / TO-220FP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP9NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP9NK70Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
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