类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-220 |
漏源极电阻 | 1.00 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 100 W |
漏源击穿电压 | 400 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.50 A |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7NK40ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 950 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7NK40Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 200 V, 34 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP7NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 V
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