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STB40NS15T4
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STB40NS15T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道150V - 0.045Î © - 40A - D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY™ Power MOSFET
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STB40NS15T4 数据手册 (13 页)
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STB40NS15T4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)150 V
额定电流40.0 A
封装TO-263-3
漏源极电阻45.0 mΩ
极性N-Channel
功耗300W (Tc)
漏源极电压(Vds)150 V
漏源击穿电压150 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)20.0 A
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)2420pF @25V(Vds)
下降时间35 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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STB40NS15T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-65℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB40NS15T4 数据手册

STB40NS15T4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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