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STP80N70F4
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STP80N70F4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
封装:TO-220-3
描述:场效应管(MOSFET) STP80N70F4 TO-220
PDF文件:STP80N70F4 数据手册 (10 页)
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焊盘图
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STP80N70F4 数据手册 (10 页)
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STP80N70F4 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
极性N-CH
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)68 V
连续漏极电流(Ids)85A
上升时间36 ns
输入电容值(Ciss)5600pF @25V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150000 mW
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STP80N70F4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STP80N70F4 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
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