| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | ISOWATT-220 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.5A |
| 上升时间 | 70 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 955pF @25V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110000 mW |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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