| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 700 V |
| 额定电流 | 7.50 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 1.20 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 115W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 700 V |
| 漏源击穿电压 | 700 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.50 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1370pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 115 W |
| 耗散功率(Max) | 115W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道700V - 1欧姆 - 7.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB9NK70Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道700V - 1欧姆 - 7.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道700V - 1欧姆 - 7.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESHâ ?? ¢功率MOSFET N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESHâ¢Power MOSFET
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