| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.53 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 70 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 540 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 540pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 70 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 70W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
STD10NM60N 是一款MDmesh™ II N沟道功率MOSFET, 低输入电容和栅极电荷。该器件采用第二代MDmesh™技术开发。该器件具有竖直结构, 低导通电阻。适用于要求苛刻的高效率转换器应用。
● 100％经过雪崩测试
● 低栅极输入电阻
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD10NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
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