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STE40NA60
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STE40NA60 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
封装:ISOTOP
描述:N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
PDF文件:STE40NA60 数据手册 (5 页)
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STE40NA60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
封装ISOTOP
极性N-CH
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)40A
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STE40NA60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
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STE40NA60 数据手册

STE40NA60 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte

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