| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 53.0 A |
| 封装 | ISOTOP-4 |
| 额定功率 | 460 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.08 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 460 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 53.0 A |
| 上升时间 | 70 ns |
| 隔离电压 | 2.50 kV |
| 输入电容值(Ciss) | 11200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 W |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 460W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 38.2 mm |
| 宽度 | 25.5 mm |
| 高度 | 9.1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STE53NC50 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
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N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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