| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.57 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 25 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 540pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 25 W |
| 下降时间 | 9.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 25W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
ST Microelectronics（意法半导体）
19 页 / 1.19 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
21 页 / 1.1 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
27 页 / 1.22 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
34 页 / 0.79 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF10NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
