STF11NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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STF11NM60N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	600 V
额定电流	10.0 A
封装	TO-220-3
通道数	1 Channel
漏源极电阻	450 mΩ
极性	N-Channel
功耗	25 W
输入电容	850 pF
栅电荷	31.0 nC
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
连续漏极电流(Ids)	10.0 A
上升时间	18.5 ns
输入电容值(Ciss)	850pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	25 W
下降时间	12 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	25W (Tc)

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STF11NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	9.3 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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