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STT3PF30L
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STT3PF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-23-6
描述:P沟道30V - 0.14欧姆 - 3A SOT23-6L STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.14 ohm - 3A SOT23-6L STripFET⑩ II POWER MOSFET
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STT3PF30L 数据手册 (8 页)
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STT3PF30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-3.00 A
封装SOT-23-6
漏源极电阻140 mΩ
极性P-Channel
功耗1.6 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±16.0 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
上升时间37 ns
输入电容值(Ciss)420pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.6 W
下降时间37 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.6W (Tc)
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STT3PF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.05 mm
宽度1.75 mm
高度1.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STT3PF30L 数据手册

STT3PF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.24 MByte
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STT3PF30 数据手册

STT3PF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
P沟道30V - 0.14欧姆 - 3A SOT23-6L STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.14 ohm - 3A SOT23-6L STripFET⑩ II POWER MOSFET
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