| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 1.80 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
ST Microelectronics（意法半导体）
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