| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 1.00 kV |
| 额定电流 | 6.50 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.6 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 40 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 输入电容 | 2.18 nF |
| 栅电荷 | 73.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 1000 V |
| 漏源击穿电压 | 1.00 kV |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.50 A |
| 上升时间 | 19 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2180pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 16.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.28 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
2 页 / 0.03 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
34 页 / 0.79 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF8NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 1 kV, 1.6 ohm, 10 V, 3.75 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
