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STGF19NC60WD
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STGF19NC60WD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:N沟道600V - 7A - TO- 220超高速的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 Ultra fast PowerMESH IGBT
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焊盘图
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STGF19NC60WD 数据手册 (14 页)
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STGF19NC60WD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-Channel
功耗32000 mW
上升时间7.00 ns
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间31 ns
额定功率(Max)32 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)32000 mW
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STGF19NC60WD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
高度16.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGF19NC60WD 数据手册

STGF19NC60WD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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