| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 80000 mW |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
| 上升时间 | 460 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 37 ns |
| 额定功率(Max) | 80 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STGP10NB60S 单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道10A - 600V - TO- 220低压降的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道10A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道10A - 600V - TO- 220FP PowerMesh⑩ IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh⑩ IGBT
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