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IXTH30N50L2
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IXTH30N50L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V
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IXTH30N50L2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻200 mΩ
极性N-Channel
功耗400 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)500 V
上升时间117 ns
输入电容值(Ciss)8100pF @25V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)400W (Tc)
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IXTH30N50L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH30N50L2 数据手册

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