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STGW39NC60VD

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STGW39NC60VD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-247-3
描述:	STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD 单晶体管, IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
PDF文件:	STGW39NC60VD 数据手册 (15 页)封装尺寸在12 页 13 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STGW39NC60VD 数据手册 (15 页)

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STGW39NC60VD 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	600 V
额定电流	40.0 A
封装	TO-247-3
额定功率	250 W
针脚数	3 Position
极性	N-Channel
功耗	250 W
栅电荷	126 nC
漏源极电压(Vds)	600 V
连续漏极电流(Ids)	40.0 A
上升时间	13 ns
击穿电压(集电极-发射极)	600 V
反向恢复时间	45 ns
额定功率(Max)	250 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	250 W

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STGW39NC60VD 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	15.75 mm
宽度	5.15 mm
高度	20.15 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGW39NC60VD 符合标准

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STGW39NC60VD 数据手册

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STGW39NC60VD 其他数据使用手册

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20 页 / 2.6 MByte

STGW39NC60VD 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

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STGW39NC60 数据手册

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