类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-264-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.019 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.3 kW |
阈值电压 | 5 V |
漏源极电压(Vds) | 300 V |
连续漏极电流(Ids) | 150A |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 12100pF @25V(Vds) |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1300W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 19.96 mm |
宽度 | 5.13 mm |
高度 | 26.16 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列
●一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
●### MOSFET 晶体管,IXYS
●IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFK150N30P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 300 V, 0.019 ohm, 10 V, 5 V
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