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STGP20H60DF
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STGP20H60DF 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:600V,20A高速沟槽栅场终止IGBT
PDF文件:STGP20H60DF 数据手册 (22 页)封装尺寸在13 页14 页15 页16 页17 页18 页
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STGP20H60DF 数据手册 (22 页)
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STGP20H60DF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
功耗167 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间90 ns
额定功率(Max)167 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)100000 mW
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STGP20H60DF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STGP20H60DF 数据手册

STGP20H60DF 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
600V,20A高速沟槽栅场终止IGBT
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