类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 468 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
反向恢复时间 | 488 ns |
额定功率(Max) | 468 W |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 468000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 468 W 通孔 TO-247
ST Microelectronics(意法半导体)
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STGW40H120 系列 1200 V 40 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-247
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