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STP12NK60Z
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STP12NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道600V - 0.53欧姆 - 10A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH?MOSFET
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STP12NK60Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流10.0 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻530 mΩ
极性N-Channel
功耗150 W
阈值电压3.75 V
输入电容1.74 nF
栅电荷59.0 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
上升时间18.5 ns
输入电容值(Ciss)1740pF @25V(Vds)
额定功率(Max)150 W
下降时间31.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)150W (Tc)
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STP12NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STP12NK60Z 数据手册

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N沟道600V - 0.53欧姆 - 10A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH?MOSFET
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