| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 550 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 0.2 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 45 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1.48 nF |
| 栅电荷 | 56.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 550 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1480pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 45 W |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 45W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 16.4 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 550 V 20A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 0.22W - 20A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-CHANNEL 500V - 0.22W - 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET (with FAST DIODE)
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道500V - 0.20ohm - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET
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