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STY30NK90Z
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STY30NK90Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道900V - 0.21ohm - 26A MAX247齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET
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STY30NK90Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)900 V
额定电流26.0 A
封装TO-247-3
漏源极电阻210 mΩ
极性N-Channel
功耗450W (Tc)
漏源极电压(Vds)900 V
漏源击穿电压900 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)28.0 A
上升时间59 ns
输入电容值(Ciss)12000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)450 W
下降时间72 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)450W (Tc)
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STY30NK90Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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STY30NK90Z 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道900V - 0.21ohm - 26A MAX247齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 900V - 0.21ohm - 26A Max247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET
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