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STP12NM50
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STP12NM50 数据手册 (17 页)
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STP12NM50 技术参数、封装参数

STP12NM50 外形尺寸、物理参数、其它

STP12NM50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.51 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.5 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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STP12 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ F6,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP12NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP12NK30Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 300 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP12PF06  晶体管, MOSFET, P沟道, 10 A, -60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3.4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500 V, 0.29 Ω , 11一个的MDmesh ?二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 0.62 ohm, 10 V, 4 V
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