STP12NM50FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
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STP12NM50FD 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
额定电压(DC)	500 V
额定电流	12.0 A
封装	TO-220-3
漏源极电阻	400 mΩ
极性	N-Channel
功耗	160 W
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
栅源击穿电压	±30.0 V
连续漏极电流(Ids)	12.0 A
上升时间	10 ns
输入电容值(Ciss)	1000pF @25V(Vds)
下降时间	18 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
耗散功率(Max)	160W (Tc)

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STP12NM50FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	9.15 mm
工作温度	-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP12NM50FD 符合标准

STP12NM50FD 概述

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