STSJ100NH3LL 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	SOIC-8
描述:	N沟道30V - 0.0027欧姆 - 100A PowerSO - 8⑩ STripFET⑩ III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.0027 ohm - 100A PowerSO-8⑩ STripFET⑩ III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
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STSJ100NH3LL 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
额定电压(DC)	30.0 V
额定电流	25.0 A
封装	SOIC-8
通道数	1 Channel
漏源极电阻	3.5 mΩ
极性	N-Channel
功耗	70 W
漏源极电压(Vds)	30 V
漏源击穿电压	30 V
连续漏极电流(Ids)	24.0 A, 100 A
上升时间	50 ns
输入电容值(Ciss)	4450pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	3 W
下降时间	8 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	3W (Ta), 70W (Tc)

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STSJ100NH3LL 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	5 mm
宽度	4 mm
高度	1.65 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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STSJ100NH3LL 符合标准

STSJ100NH3LL 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STSJ100NH3 数据手册

STSJ100NH3LL 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.0027欧姆 - 100A PowerSO - 8⑩ STripFET⑩ III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.0027 ohm - 100A PowerSO-8⑩ STripFET⑩ III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION

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