STP21NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
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STP21NM60N 数据手册 (18 页)

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STP21NM60N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	600 V
额定电流	17.0 A
封装	TO-220-3
漏源极电阻	190 mΩ
极性	N-Channel
功耗	140W (Tc)
输入电容	1.95 nF
栅电荷	66.6 nC
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
栅源击穿电压	±25.0 V
连续漏极电流(Ids)	17.0 A
上升时间	15 ns
输入电容值(Ciss)	1900pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	140 W
下降时间	31 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	140W (Tc)

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STP21NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

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