类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 6 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 140 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 939 pF |
漏源极电压(Vds) | 1500 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
上升时间 | 47 ns |
输入电容值(Ciss) | 939pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 140 W |
下降时间 | 61 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 140W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 15.75 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP3NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP36NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
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STMICROELECTRONICS STP3N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 6 ohm, 10 V, 4 V
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